型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Module Cbi Minipack271071-9¥312.029510-49¥303.889650-99¥297.6490100-199¥295.4784200-499¥293.8504500-999¥291.67981000-1999¥290.3231≥2000¥288.9665
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Module 1200V 84A62191-9¥876.375010-49¥845.625050-99¥841.7813100-149¥837.9375150-249¥831.7875250-499¥826.4063500-999¥821.0250≥1000¥814.8750
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Module 1200V 150A Hex69581-9¥1171.104010-24¥1160.457625-49¥1155.134450-99¥1149.8112100-149¥1144.4880150-249¥1139.1648250-499¥1133.8416≥500¥1128.5184
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,IXYS ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。21041-9¥1394.910010-24¥1382.229025-49¥1375.888550-99¥1369.5480100-149¥1363.2075150-249¥1356.8670250-499¥1350.5265≥500¥1344.1860
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Module 1200V 40A48151-9¥387.734010-49¥377.619250-99¥369.8645100-199¥367.1672200-499¥365.1443500-999¥362.44701000-1999¥360.7612≥2000¥359.0754
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 145A 400000mW 21Pin SMD79401-9¥218.327510-49¥212.632050-99¥208.2655100-199¥206.7467200-499¥205.6076500-999¥204.08881000-1999¥203.1395≥2000¥202.1903
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品类: MOS管描述: SMPD HIPERFETS & MOSFETS75271-9¥345.414010-49¥336.403250-99¥329.4949100-199¥327.0920200-499¥325.2899500-999¥322.88701000-1999¥321.3852≥2000¥319.8834
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列 一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备32331-9¥248.078010-49¥241.606450-99¥236.6448100-199¥234.9191200-499¥233.6248500-999¥231.89901000-1999¥230.8204≥2000¥229.7418
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 24741771-9¥111.354510-99¥106.5130100-249¥105.6415250-499¥104.9637500-999¥103.89861000-2499¥103.41442500-4999¥102.7366≥5000¥102.1557
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 4000V 30A 160000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAC23401-9¥400.579510-49¥390.129650-99¥382.1180100-199¥379.3314200-499¥377.2414500-999¥374.45481000-1999¥372.7131≥2000¥370.9715
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 60V 80A TO-247698420-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 24739045-49¥18.544550-199¥17.7520200-499¥17.3082500-999¥17.19731000-2499¥17.08632500-4999¥16.95955000-7499¥16.8803≥7500¥16.8010
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品类: MOS管描述: 通孔 P 通道 500V 40A(Tc) 890W(Tc) TO-264(IXTK)69051-9¥128.225010-49¥124.880050-99¥122.3155100-199¥121.4235200-499¥120.7545500-999¥119.86251000-1999¥119.3050≥2000¥118.7475
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品类: IGBT晶体管描述: MOD IGBT BUCK 1200V 420A Y3-LI614720-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: TRANS IGBT PWR MODULE 1.2kV 330A60581-9¥1017.518410-49¥981.816050-99¥977.3532100-149¥972.8904150-249¥965.7499250-499¥959.5020500-999¥953.2541≥1000¥946.1136
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,IXYS ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。28661-9¥632.244010-49¥610.060050-99¥607.2870100-149¥604.5140150-249¥600.0772250-499¥596.1950500-999¥592.3128≥1000¥587.8760
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品类: IGBT晶体管描述: Module Igbt Cbi E127101-9¥473.052510-49¥460.712050-99¥451.2510100-199¥447.9602200-499¥445.4921500-999¥442.20131000-1999¥440.1445≥2000¥438.0878
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品类: IGBT晶体管描述: Module Igbt Cbi E281561-9¥480.677010-49¥468.137650-99¥458.5241100-199¥455.1802200-499¥452.6723500-999¥449.32851000-1999¥447.2386≥2000¥445.1487
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Sixpack 225A 600V E3pack21221-9¥1259.654010-24¥1248.202625-49¥1242.476950-99¥1236.7512100-149¥1231.0255150-249¥1225.2998250-499¥1219.5741≥500¥1213.8484
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT E9PACK656020-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: Discrete Semiconductor Modules 450A 1200V422320-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: MWI50 系列 600 Vce 72 A 50 ns t(on) IGBT 模块 SixPack41841-9¥516.752510-49¥503.272050-99¥492.9370100-199¥489.3422200-499¥486.6461500-999¥483.05131000-1999¥480.8045≥2000¥478.5578
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 72A 225000mW 18Pin E224311-9¥523.353510-49¥509.700850-99¥499.2337100-199¥495.5930200-499¥492.8625500-999¥489.22181000-1999¥486.9463≥2000¥484.6709
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT E9PACK38051-9¥1103.964610-49¥1065.229050-99¥1060.3871100-149¥1055.5451150-249¥1047.7980250-499¥1041.0193500-999¥1034.2405≥1000¥1026.4934
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品类: MOS管描述: Mosfet n-Ch 600V 50A Smpd74391-9¥268.858510-49¥261.844850-99¥256.4676100-199¥254.5973200-499¥253.1946500-999¥251.32431000-1999¥250.1553≥2000¥248.9864
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列 ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备27931-9¥231.690510-49¥225.646450-99¥221.0126100-199¥219.4008200-499¥218.1920500-999¥216.58031000-1999¥215.5729≥2000¥214.5656
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 45A 140000mW 18Pin E288681-9¥474.156510-49¥461.787250-99¥452.3041100-199¥449.0056200-499¥446.5317500-999¥443.23331000-1999¥441.1717≥2000¥439.1102
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品类: IGBT晶体管描述: 分立半导体模块 300 Amps 1700V99561-9¥4317.269010-24¥4278.021125-49¥4258.397250-99¥4238.7732100-149¥4219.1493150-249¥4199.5253250-499¥4179.9014≥500¥4160.2774
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 62A 280000mW 17Pin81911-9¥769.066810-49¥742.082050-99¥738.7089100-149¥735.3358150-249¥729.9388250-499¥725.2165500-999¥720.4942≥1000¥715.0972
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品类: IGBT晶体管描述: IXGN 系列 600 Vce 300 A 44 ns t(on) 中速 IGBT - SOT-227B94121-9¥306.141510-49¥298.155250-99¥292.0324100-199¥289.9027200-499¥288.3054500-999¥286.17581000-1999¥284.8447≥2000¥283.5137